中国内存突破让韩国感到压力 股价大跌引发关注

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中国内存突破让韩国感到压力 股价大跌引发关注

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                2026-10-16 10:34:24  环球观事论

中国内存突破让韩国感到压力 股价大跌引发关注！长鑫存储宣布年底将推出4F²架构的新一代DDR5服务器内存，这一消息直接冲击了韩国存储芯片巨头的股价。三星电子单日下跌8%，SK海力士跌幅达到11%，连远在美国的美光科技也受到影响。


据行业公开信息显示，这款基于4F²垂直架构的产品比三星原定规划早两年面世。存储芯片是韩国半导体产业的核心，因此韩国资本市场反应强烈。


一位资深半导体工程师在当地论坛发表长文评论，承认长鑫的4F²技术确实有优势，同等芯片面积可以容纳更多存储单元，提升单晶圆产能并降低成本。但他随后表示，三星和SK海力士并非无法实现这种技术，只是尚未到发力阶段。他还指出，中国缺乏先进的EUV极紫外光刻机，只能依靠DUV深紫外光刻机进行多次曝光，这会导致漏电压不住、缺陷率高等问题。他认为长鑫的大规模量产不可能实现。


这种“先认你厉害，再咬定你造不出来”的逻辑实际上反映了路径依赖带来的认知偏差。6F²架构DRAM每个存储单元的晶体管平摊在硅片上，像一排排带小院的平房，密度达到极限后会出现信号干扰和漏电等问题。而4F²架构通过将晶体管竖起来，形成垂直沟道结构，相当于拆平房建高层，节省三分之一的面积，同一块晶圆产出的存储芯片数量增加近50%。这不仅提高了单位成本效益，还直接冲击了韩企的基本盘。



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